MG50Q2YS40
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Toshiba
东芝
分立器件
MG50Q2YS40中文资料参数规格
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
MG50Q2YS40引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MG50Q2YS40 | Toshiba 东芝 | N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS | 搜索库存 |
替代型号MG50Q2YS40
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： MG50Q2YS40 品牌： Toshiba 东芝 封装： | 当前型号 | N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS | 当前型号 |
| 型号： BSM50GB120DN2 品牌： 英飞凌 封装： Module 400W | 功能相似 | IGBT 模块，Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | MG50Q2YS40和BSM50GB120DN2的区别 |
| 型号： CM50DU-24F 品牌： Powerex 封装： Module 1.2kV 50A | 功能相似 | POWEREX CM50DU-24F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 50A, 1.2kV, 320W, 1.2kV, Module | MG50Q2YS40和CM50DU-24F的区别 |