IRF1407PBF、STP140NF75、IRFB3077PBF对比区别

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型号 IRF1407PBF STP140NF75 IRFB3077PBF

描述 INFINEON  IRF1407PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 75 V, 7.8 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFB3077PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 75.0 V -

额定电流 - 120 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0078 Ω 0.0075 Ω 0.0033 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 310 W 370 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 5600pF @25V 5000 pF 9400 pF

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 75 V 75.0 V 75 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 130A 120 A 210A

上升时间 150 ns 140 ns 87 ns

输入电容(Ciss) 5600pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 9400pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 310 W 370 W

下降时间 140 ns 90 ns 95 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) 310W (Tc) 370W (Tc)

额定功率 330 W - 370 W

通道数 - - 1

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.82 mm

高度 15.65 mm 9.15 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99