额定功率 370 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 370 W
阈值电压 4 V
输入电容 9400 pF
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 210A
上升时间 87 ns
输入电容Ciss 9400pF @50VVds
额定功率Max 370 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, Battery Operated Drive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
IRFB3077PBF引脚图
IRFB3077PBF封装图
IRFB3077PBF封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRFB3077PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFB3077PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRFB3077PBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 75V 210A | 当前型号 | INFINEON IRFB3077PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IRFB3207ZPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 75V 170A | 类似代替 | INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V | IRFB3077PBF和IRFB3207ZPBF的区别 | |
型号: IRF2907ZPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 75V 170A | 类似代替 | INFINEON IRF2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V | IRFB3077PBF和IRF2907ZPBF的区别 | |
型号: IRFB3207PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 75V 170A | 类似代替 | N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB | IRFB3077PBF和IRFB3207PBF的区别 |