BSC090N03LSGATMA1、BSC100N03LSGATMA1对比区别
型号 BSC090N03LSGATMA1 BSC100N03LSGATMA1
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC090N03LSGATMA1, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装TDSON N-CH 30V 13A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
额定功率 32 W -
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta), 30W (Tc)
输入电容 1100 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 13A 13A
上升时间 2.6 ns 2.6 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds)
下降时间 2.4 ns 2.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
长度 5.35 mm -
宽度 6.1 mm -
高度 1.1 mm -
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free