BSC100N03LSGATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSC100N03LSGATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 2.6 ns
输入电容Ciss 1500pF @15VVds
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
BSC100N03LSGATMA1引脚图与封装图
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在线购买BSC100N03LSGATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC100N03LSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | TDSON N-CH 30V 13A | 搜索库存 |
替代型号BSC100N03LSGATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSC100N03LSGATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-PowerTDFN N-CH 30V 13A | 当前型号 | TDSON N-CH 30V 13A | 当前型号 |
| 型号： BSC090N03LSGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 13A | 类似代替 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC090N03LSGATMA1, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装 | BSC100N03LSGATMA1和BSC090N03LSGATMA1的区别 |