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TK12A60U(Q)、TK13A65U、STF11NM65N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TK12A60U(Q) TK13A65U STF11NM65N

描述 Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3Pin(3+Tab) TO-220SISTrans MOSFET N-CH Si 650V 13A 3Pin(3+Tab) TO-220SISN沟道650 V, 0.425 I©典型值,11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK , TO- 220FP , I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packages

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

引脚数 - - 3

耗散功率 35 W - 30 W

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V

上升时间 30 ns - 13 ns

下降时间 8 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

极性 - - N-CH

连续漏极电流(Ids) - - 12A

输入电容(Ciss) - 950pF @10V(Vds) 800pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 40 W 25 W

耗散功率(Max) - - 25W (Tc)

长度 10 mm - -

宽度 4.5 mm - -

高度 15 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)