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STF11NM65N

STF11NM65N

数据手册.pdf

N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packages

通孔 N 通道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP


立创商城:
N沟道 650V 11A


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MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP


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Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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STF11NM65N 系列 650 V 0.38 Ohm N-沟道 MDmesh™ 功率 Mosfet - TO-220FP


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Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
650V,0.425Ω,11A,N沟道功率MOSFET


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N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshII Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packages


STF11NM65N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 800pF @50VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

STF11NM65N引脚图与封装图
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在线购买STF11NM65N
型号 制造商 描述 购买
STF11NM65N ST Microelectronics 意法半导体 N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packages 搜索库存
替代型号STF11NM65N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STF11NM65N

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220-3 N-CH 650V 12A

当前型号

N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packages

当前型号

型号： STF14NM65N

品牌： 意法半导体

封装： TO-220AB

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N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

STF11NM65N和STF14NM65N的区别