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TLC277CDG4、TLC277CDRG4、TS27M2IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC277CDG4 TLC277CDRG4 TS27M2IDT

描述 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  TS27M2IDT  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA 60 mA

供电电流 1.9 mA 1.9 mA 150 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 0.725 W -

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K -

带宽 1.70 MHz 1.70 MHz 1 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1 MHz

输入补偿电压 250 µV 250 µV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

针脚数 - - 8

增益带宽 - - 1 MHz

电源电压 - - 3V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V - 16 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.9 mm

高度 1.58 mm - 1.25 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99