SI1903DL-T1-E3、SI1967DH-T1-GE3对比区别

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型号 SI1903DL-T1-E3 SI1967DH-T1-GE3

描述 VISHAY  SI1903DL-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双路, 双P沟道, 410 mA, -20 V, 995 mohm, -4.5 V, -1.5 VVISHAY  SI1967DH-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70 SC-70-6

针脚数 6 6

漏源极电阻 995 mΩ 0.64 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 300 mW 1.25 W

上升时间 - 27 ns

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.25 W

漏源极电压(Vds) -20.0 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 440 mA -

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

封装 SC-70 SC-70-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Unknown -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15