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SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI1967DH-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV

The is a dual P-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.

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Halogen-free
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PWM optimized

欧时:
### 双 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R


Allied Electronics:
SI1967DH-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R


富昌:
双 P沟道 20 V 490 mOhm 表面贴装 TrenchFET 功率 Mosfet - SC-70-6


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1967DH-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV


力源芯城:
-20V,-1.3双P沟道MOSFET


SI1967DH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.64 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.25 W

上升时间 27 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1967DH-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI1967DH-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI1967DH-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI1967DH-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-363 Dual P-Channel

当前型号

VISHAY  SI1967DH-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV

当前型号

型号: SI1903DL-T1-E3

品牌: 威世

封装: SOT-363 P-Channel 20V 440mA 995mΩ

功能相似

VISHAY  SI1903DL-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双路, 双P沟道, 410 mA, -20 V, 995 mohm, -4.5 V, -1.5 V

SI1967DH-T1-GE3和SI1903DL-T1-E3的区别