BDW42、TIP142T、BDW42G对比区别
描述 达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSNPN 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 15.0 A 10.0 A 15.0 A
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 85 W 90 W 85 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 15A - 15A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 500 1000 @5A, 4V
额定功率(Max) 85 W 80 W 85 W
直流电流增益(hFE) - 1000 1000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
增益带宽 - - 4MHz (Min)
耗散功率(Max) - 90000 mW 85000 mW
集电极击穿电压 - 100 V -
长度 10.28 mm 10.4 mm 10.28 mm
宽度 4.82 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 9.28 mm 9.15 mm 9.28 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99