APT20M45BVFRG、STW40NF20、IXTH50N20对比区别

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型号 APT20M45BVFRG STW40NF20 IXTH50N20

描述 TO-247 N-CH 200V 56ASTMICROELECTRONICS  STW40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXTH50N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 56.0 A 40.0 A 50.0 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 160 W 300 W

输入电容 4.86 nF 2.50 nF 4.60 nF

栅电荷 195 nC 75.0 nC 220 nC

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 25.0 A, 40.0 A 50.0 A

上升时间 14 ns 44 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 4860pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 160 W -

下降时间 7 ns 22 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 160W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.038 Ω 0.045 Ω

阈值电压 - 3 V 4 V

漏源击穿电压 - 200 V -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15