APT20M45BVFRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT20M45BVFRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 56.0 A
极性 N-CH
耗散功率 300 W
输入电容 4.86 nF
栅电荷 195 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 4860pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT20M45BVFRG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT20M45BVFRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT20M45BVFRG | Microsemi 美高森美 | TO-247 N-CH 200V 56A | 搜索库存 |
替代型号APT20M45BVFRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT20M45BVFRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 200V 56A 4.86nF | 当前型号 | TO-247 N-CH 200V 56A | 当前型号 |
| 型号： STW40NF20 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 200V 25A 45mΩ 2.5nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V | APT20M45BVFRG和STW40NF20的区别 |
| 型号： IXFH50N20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 200V 50A 45mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V | APT20M45BVFRG和IXFH50N20的区别 |
| 型号： IXTH50N20 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 200V 50A 4.6nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V | APT20M45BVFRG和IXTH50N20的区别 |