RQ6C050UNTR、RUQ050N02TR对比区别

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型号 RQ6C050UNTR RUQ050N02TR

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

针脚数 6 6

漏源极电阻 0.022 Ω 0.022 Ω

耗散功率 1.25 W 1.25 W

阈值电压 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

上升时间 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 900pF @10V(Vds) 900pF @10V(Vds)

下降时间 100 ns 100 ns

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)

极性 - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 5A

额定功率(Max) - 1.25 W

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free