RUQ050N02TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RUQ050N02TR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 900pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 100 ns
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RUQ050N02TR引脚图与封装图 
RUQ050N02TR引脚图
RUQ050N02TR封装图
RUQ050N02TR封装焊盘图
在线购买RUQ050N02TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RUQ050N02TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号RUQ050N02TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RUQ050N02TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT N-Channel 20V 5A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： RQ6C050UNTR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT6 | 完全替代 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V | RUQ050N02TR和RQ6C050UNTR的区别 |
| 型号： FDC637BNZ 品牌： 飞兆/仙童 封装： SuperSOT N-Channel 20V 6.2A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC637BNZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 800 mV | RUQ050N02TR和FDC637BNZ的区别 |
| 型号： NTGS3130NT1G 品牌： 安森美 封装： TSOP N-Channel 20V 5.6A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | RUQ050N02TR和NTGS3130NT1G的区别 |