BCR192E6327HTSA1、MUN2134T1对比区别

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型号 BCR192E6327HTSA1 MUN2134T1

描述 Infineon BCR192E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:0.47, 3引脚 SOT-23封装偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP

耗散功率 0.2 W 230 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 230 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃

增益带宽 200 MHz -

耗散功率(Max) 200 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 80

长度 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.5 mm

高度 0.9 mm 1.09 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 -