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LMC6042IN、LMC6042IN/NOPB、TS922IN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6042IN LMC6042IN/NOPB TS922IN

描述 CMOS双路微功耗运算放大器 CMOS Dual Micropower Operational AmplifierCMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsSTMICROELECTRONICS  TS922IN  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 12V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP DIP-8 DIP-8

电源电压(DC) - 5.00 V 3.00 V

输出电流 - 22mA @5V -

供电电流 - 26 µA 2 mA

电路数 - 2 2

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 - 62 dB 60 dB

输入补偿漂移 - 1.30 µV/K -

带宽 100 kHz 100 kHz 4 MHz

转换速率 - 20.0 mV/μs 1.30 V/μs

增益频宽积 - 100 kHz 4 MHz

输入补偿电压 - 1 mV 3 mV

输入偏置电流 - 0.002 pA 15 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 0.1 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) - 62 dB -

电源电压 4.5V ~ 15.5V 4.5V ~ 15.5V 2.7V ~ 12V

电源电压(Max) 15.5 V 15.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

工作电压 - - 2.7V ~ 12V

长度 - 9.27 mm 9.27 mm

宽度 - 6.35 mm 6.35 mm

高度 - 3.3 mm 3.3 mm

封装 DIP DIP-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 2015/12/17