PD55008、PD55008-E、PD55008S-E对比区别

高亮显示差异参数

型号 PD55008 PD55008-E PD55008S-E

描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYMOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管晶体管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V

额定电流 - 4 A 4 A

耗散功率 52.8 W 52.8 W 52.8 W

漏源极电压(Vds) - 40 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A 4.00 A

输出功率 8 W 8 W 8 W

增益 17 dB 17 dB 17 dB

测试电流 150 mA 150 mA 150 mA

输入电容(Ciss) - 58pF @12.5V(Vds) 58pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 52800 mW 52800 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

针脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 7.5 mm 9.5 mm 7.5 mm

宽度 9.4 mm 9.4 mm 9.4 mm

高度 3.5 mm 3.5 mm 3.5 mm

封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10

工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -