PD55008-E
数据手册.pdfMOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频 MOSFET ，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
得捷:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
欧时:
STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD55008-E, 4 A, Vds=40 V, 3引脚 PowerSO封装
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF POWER TRANS
e络盟:
晶体管, 射频FET, LdmoST, N-沟道, 40 V, 4 A, 52.8 W, PowerSO-10RF
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 4A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Formed lead Tube
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube
DeviceMart:
TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10