MC9S08QD4CPC、MC9S08QD4CSC、MC9S08QD4VPC对比区别

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型号 MC9S08QD4CPC MC9S08QD4CSC MC9S08QD4VPC

描述 NXP  MC9S08QD4CPC  微控制器, 8位, QD系列, S08QD, 16 MHz, 4 KB, 256 Byte, 8 引脚, DIPNXP  MC9S08QD4CSC  微控制器, 8位, QD系列, S08QD, 16 MHz, 4 KB, 256 Byte, 8 引脚, SOICNXP  MC9S08QD4VPC  微控制器, 8位, S08QD, 16 MHz, 4 KB, 256 Byte, 8 引脚, DIP

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 8位微控制器8位微控制器8位微控制器

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

频率 16 MHz 16 MHz 10 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

针脚数 8 8 8

时钟频率 10.0 MHz, 16.0 MHz (max) 10.0 MHz, 16.0 MHz (max) 8.00 MHz, 16.0 MHz

RAM大小 256 b 256 B 256 b

位数 8 8 8

FLASH内存容量 4 KB 4 KB 4096 B

I/O引脚数 4 4 4

存取时间 10.0 µs 10.0 µs 10.0 µs

内核架构 HCS08 HCS08 HCS08

内存容量 4000 B 4000 B 4000 B

模数转换数(ADC) 1 1 -

输入/输出数 6 Input 6 Input 6 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V - -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

长度 - 5 mm 10.16 mm

宽度 - 4 mm 6.6 mm

高度 - 1.5 mm 3.44 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17