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EMZ7T2R、UMZ7NTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMZ7T2R UMZ7NTR

描述 通用晶体管(双晶体管) General purpose transistor (dual transistors)UMZ7NTR 编带

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-563 TSSOP-6

额定电流 500 mA 500 mA

额定功率 0.15 W -

极性 NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 150 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 270 @10mA, 2V 270 @10mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 680 680

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW

长度 1.6 mm 2 mm

宽度 1.2 mm 1.25 mm

高度 0.5 mm 0.9 mm

封装 SOT-563 TSSOP-6

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free