EMZ7T2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMZ7T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电流 500 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN+PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-563
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMZ7T2R引脚图与封装图 
EMZ7T2R引脚图
EMZ7T2R封装图
EMZ7T2R封装焊盘图
在线购买EMZ7T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMZ7T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 通用晶体管（双晶体管） General purpose transistor dual transistors | 搜索库存 |
替代型号EMZ7T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMZ7T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN PNP 500mA 150mW | 当前型号 | 通用晶体管（双晶体管） General purpose transistor dual transistors | 当前型号 |
| 型号： UMZ7NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN PNP 500mA 150mW | 功能相似 | UMZ7NTR 编带 | EMZ7T2R和UMZ7NTR的区别 |