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MT46H256M32L4JV-5 WT:B、MT46H256M32L4SA-48 WT:C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46H256M32L4JV-5 WT:B MT46H256M32L4SA-48 WT:C

描述 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168Pin VFBGADRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168Pin FBGA

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 168 168

封装 VFBGA-168 BGA-168

工作电压 1.80 V -

位数 32 32

存取时间(Max) 6.5ns, 5ns 4.8 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

存取时间 - 5.0 ns

封装 VFBGA-168 BGA-168

工作温度 -25℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99