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MT46H256M32L4JV-5 WT:B

MT46H256M32L4JV-5 WT:B

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168Pin VFBGA

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb(256M x 32) 并联 168-VFBGA(12x12)


得捷:
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168-Pin VFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8G-Bit 256Mx32 1.8V 168-Pin VFBGA


Win Source:
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA / SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 8Gb 256M x 32 Parallel 200 MHz 5 ns 168-VFBGA 12x12


MT46H256M32L4JV-5 WT:B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

位数 32

存取时间Max 6.5ns, 5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 VFBGA-168

外形尺寸

封装 VFBGA-168

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT46H256M32L4JV-5 WT:B引脚图与封装图
MT46H256M32L4JV-5 WT:B引脚图

MT46H256M32L4JV-5 WT:B引脚图

MT46H256M32L4JV-5 WT:B封装图

MT46H256M32L4JV-5 WT:B封装图

MT46H256M32L4JV-5 WT:B封装焊盘图

MT46H256M32L4JV-5 WT:B封装焊盘图

在线购买MT46H256M32L4JV-5 WT:B
型号 制造商 描述 购买
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron 镁光 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168Pin VFBGA 搜索库存
替代型号MT46H256M32L4JV-5 WT:B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT46H256M32L4JV-5 WT:B

品牌: Micron 镁光

封装:

当前型号

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168Pin VFBGA

当前型号

型号: MT46H256M32L4SA-48 WT:C

品牌: 镁光

封装: BGA

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型号: MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR

品牌: 镁光

封装:

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