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TLC27M2CD、TLC27M2CDR、TLC27M2IDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27M2CD TLC27M2CDR TLC27M2IDG4

描述 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLC27M2CDR  运算放大器, 双路, 525 kHz, 2个放大器, 0.43 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLC27M2IDG4  运算放大器, 双路, 525 kHz, 2个放大器, 0.43 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 3V ~ 16V 3V ~ 16V -

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 285 µA 285 µA 285 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.70 µV/K 1.70 µV/K 1.70 µV/K

带宽 60 kHz 525 kHz 525 kHz

转换速率 460 mV/μs 460 mV/μs 460 mV/μs

增益频宽积 0.525 MHz 635 kHz 635 kHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 10 mV

输入偏置电流 .7 pA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V 3V ~ 16V 4V ~ 16V

增益带宽 0.525 MHz - 0.525 MHz

电源电压(DC) - - 18.0 V

高度 1.58 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -