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UCC37321D、UCC37321DRG4、MIC4421YM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UCC37321D UCC37321DRG4 MIC4421YM

描述 MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments单9 ,高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW- SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLEMIC4421 系列 1.5 Ohm 9 A峰值 低压侧 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 20 ns 20 ns 20ns, 24ns

输出接口数 1 1 1

输出电流 9 A 9 A -

耗散功率 650 mW 650 mW 1.04 W

上升时间 35 ns 35 ns 75 ns

下降时间 20 ns 20 ns 75 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 75 ns

上升时间(Max) 70 ns 70 ns 75 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 650 mW 650 mW 1040 mW

电源电压 4V ~ 15V 4V ~ 15V 4.5V ~ 18V

电源电压(DC) 15.0V (max) - 4.50V (min)

针脚数 - - 8

电源电压(Max) 15 V - 18 V

电源电压(Min) 4 V - 4.5 V

输出电压 150 mV - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99