锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

S34MS02G204BHI010、S34MS02G204BHI013对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S34MS02G204BHI010 S34MS02G204BHI013

描述 NAND闪存 NandSLC NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 128M x 16 63Pin BGA T/R

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 63

封装 VFBGA-63 BGA-63

安装方式 Surface Mount -

位数 - 16

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

存取时间 45 ns -

电源电压 1.7V ~ 1.95V -

封装 VFBGA-63 BGA-63

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -