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S34MS02G204BHI010

S34MS02G204BHI010

数据手册.pdf

NAND闪存 Nand

FLASH - NAND Memory IC 2Gb 128M x 16 Parallel 45ns 63-BGA 11x9


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IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA


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S34MS02G204BHI010中文资料参数规格
技术参数

存取时间 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

S34MS02G204BHI010引脚图与封装图
S34MS02G204BHI010引脚图

S34MS02G204BHI010引脚图

S34MS02G204BHI010封装图

S34MS02G204BHI010封装图

S34MS02G204BHI010封装焊盘图

S34MS02G204BHI010封装焊盘图

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替代型号S34MS02G204BHI010
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: S34MS02G204BHI010

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: 63-VFBGA

当前型号

NAND闪存 Nand

当前型号

型号: S34MS02G204BHI013

品牌: 赛普拉斯

封装: 63-VFBGA

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