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2N3442G、JAN2N3584、2N3442对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3442G JAN2N3584 2N3442

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N3442G  单晶体管 双极, NPN, 140 V, 80 kHz, 117 W, 10 A, 7.5 hFE 新NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR大功率晶体管产业 High−Power Industrial Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 -

封装 TO-204-2 TO-66 TO-204-2

频率 800 kHz - -

额定电压(DC) 140 V - 140 V

额定电流 10.0 A - 10.0 A

针脚数 2 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 117 W 2.5 W 117 W

击穿电压(集电极-发射极) 140 V 250 V 140 V

热阻 1.17℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 10A 2A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 25 @1A, 10V 20

最大电流放大倍数(hFE) 70 - 70

额定功率(Max) 117 W 2.5 W 117 W

直流电流增益(hFE) 70 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 117000 mW 2500 mW -

长度 39.37 mm - 39.37 mm

宽度 26.67 mm - 26.67 mm

高度 8.51 mm - 8.51 mm

封装 TO-204-2 TO-66 TO-204-2

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tube

最小包装 - - 100

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -