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JANTX2N6193、JANTXV2N6193、2N6193对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6193 JANTXV2N6193 2N6193

描述 JANTX Series 100V 5A Through Hole PNP Medium Power Silicon Transistor - TO-39Trans GP BJT PNP 100V 5A 3Pin TO-39PNP中功率硅晶体管 PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39-3

耗散功率 1 W 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @2A, 2V 60 @2A, 2V

额定功率(Max) - 1 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99