2N6193
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N6193中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
外形尺寸
封装 TO-39-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6193引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N6193
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6193 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-205AD 1000mW | 当前型号 | PNP中功率硅晶体管 PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6193 品牌： 美高森美 封装： TO-39-3 1000mW | 完全替代 | JANTX Series 100V 5A Through Hole PNP Medium Power Silicon Transistor - TO-39 | 2N6193和JANTX2N6193的区别 |
| 型号： JANTXV2N6193 品牌： 美高森美 封装： TO-205AD 1000mW | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3Pin TO-39 | 2N6193和JANTXV2N6193的区别 |