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LM385BXZ-1.2/NOPB、LM385BYZ-1.2/NOPB、LM385LPE3-1-2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BXZ-1.2/NOPB LM385BYZ-1.2/NOPB LM385LPE3-1-2

描述 LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeLM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode1.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

容差 ±1 % ±1 % ±2 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

通道数 1 1 1

输出电压(Max) 1.235 V 1.235 V 1.26 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA 20 ma 20 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

精度 2 % 2 % 20 mV

额定电流 - 10.0 A -

供电电流 - 10.0 mA -

长度 5.2 mm 5.2 mm 4.83 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 3.43 mm

高度 5.2 mm 5.2 mm 3.68 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±30 ppm/℃ ±50 ppm/℃ ±20 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -