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JAN2N6849U、JANS2N6849U、IRFE9130对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6849U JANS2N6849U IRFE9130

描述 MOSFET P-CH 18-LCCMOSFET P Channel MOSFETTrans MOSFET P-CH 100V 6.1A 16Pin LCC-4

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 MOS管

基础参数对比

封装 ULCC-18 ~5°C/W -

安装方式 Surface Mount - -

通道数 - 1 -

耗散功率 800mW (Ta), 25W (Tc) - -

漏源极电压(Vds) 100 V - -

耗散功率(Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) - -

封装 ULCC-18 ~5°C/W -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -