JAN2N6849U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6849U中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 800mW Ta, 25W Tc
漏源极电压Vds 100 V
耗散功率Max 800mW Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 ULCC-18
外形尺寸
封装 ULCC-18
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6849U引脚图与封装图
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在线购买JAN2N6849U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6849U | Microsemi 美高森美 | MOSFET P-CH 18-LCC | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6849U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6849U 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~5°C/W | 当前型号 | MOSFET P-CH 18-LCC | 当前型号 |
| 型号： JANS2N6849U 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | MOSFET P Channel MOSFET | JAN2N6849U和JANS2N6849U的区别 |
| 型号： IRFE9130 品牌： Semelab 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.1A 16Pin LCC-4 | JAN2N6849U和IRFE9130的区别 |
