FDS6990A、FDS6990AS、PHN203,518对比区别

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型号 FDS6990A FDS6990AS PHN203,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6990A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6990AS  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 VMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 1.6 W 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 5 ns - 6 ns

输入电容(Ciss) 1235pF @15V(Vds) 550pF @15V(Vds) 560pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 900 mW 2 W

下降时间 5 ns - 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6 W 1600 mW 2000 mW

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.011 Ω 0.017 Ω -

极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel -

阈值电压 1.9 V 1.7 V -

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 7.50 mA -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 7.50 A - -

额定功率 2 W - -

输入电容 1.23 nF - -

栅电荷 12.0 nC - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.57 mm 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -