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BUT11AI、BUT11AI,127、934050210127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUT11AI BUT11AI,127 934050210127

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorTO-220AB NPN 450V 5A5A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V -

集电极最大允许电流 5A 5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 14 @500mA, 5V -

额定功率(Max) - 100 W -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -