BUT11AI
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
电子元器件分类
BUT11AI中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 450 V
集电极最大允许电流 5A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUT11AI引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BUT11AI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUT11AI 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： BUT11AI,127 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB NPN | 类似代替 | TO-220AB NPN 450V 5A | BUT11AI和BUT11AI,127的区别 |