IRF7379PBF、STS8C5H30L对比区别

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型号 IRF7379PBF STS8C5H30L

描述 Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 5.80 A 8.00 A

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.5 W 1.6 W

产品系列 IRF7379 -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A 8.00 A, 4.20 A

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

通道数 - 2

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.018 Ω

阈值电压 - 1.6 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V

上升时间 - 35.0 ns

耗散功率(Max) - 2000 mW

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.65 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99