DGD2103AS8-13、DGD2103MS8-13对比区别

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型号 DGD2103AS8-13 DGD2103MS8-13

描述 Driver 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SO T/RMOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 逻辑芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SO-8 SOIC-8

上升/下降时间 100ns, 50ns 70ns, 35ns

输出接口数 2 2

针脚数 - 8

耗散功率 625 mW 625 mW

下降时间(Max) 60 ns 90 ns

上升时间(Max) 170 ns 170 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V

输出电流 360 mA -

上升时间 100 ns -

下降时间 50 ns -

封装 SO-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -