DGD2103AS8-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
主动器件
上升/下降时间 100ns, 50ns
输出接口数 2
输出电流 360 mA
耗散功率 625 mW
上升时间 100 ns
下降时间 50 ns
下降时间Max 60 ns
上升时间Max 170 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
DGD2103AS8-13 | Diodes 美台 | Driver 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SO T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: DGD2103AS8-13 品牌: Diodes 美台 封装: 8-SO | 当前型号 | Driver 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SO T/R | 当前型号 | |
型号: DGD2103MS8-13 品牌: 美台 封装: | 功能相似 | MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8 | DGD2103AS8-13和DGD2103MS8-13的区别 |