2SA1020RLRAG、KSA1281YTA、MMBT5089LT1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 2SA1020RLRAG KSA1281YTA MMBT5089LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  2SA1020RLRAG  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 1.5 W, -2 A, 40 hFEPNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  MMBT5089LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 50 MHz

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V 25.0 V

额定电流 -2.00 A -2.00 A 50.0 mA

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP NPN

耗散功率 1.5 W 1 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 25 V

集电极最大允许电流 2A 2A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 70 @500mA, 2V 120 @500mA, 2V 400

额定功率(Max) 900 mW 1 W 300 mW

直流电流增益(hFE) 40 - 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 900 mW 1 W 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 240 -

长度 5.21 mm 5.1 mm 3.04 mm

宽度 4.19 mm 4.1 mm 2.64 mm

高度 7.87 mm 8.2 mm 1.11 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Box Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99