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TL052CDRG4、TL072CDT、TL072IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL052CDRG4 TL072CDT TL072IDT

描述 增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERSTL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗:200 μA(TL06x,每个放大器) 宽共模和差分电压范围 低噪声,通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真:0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率:16 V/μs(TL07x、TL08x),3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器,STMicroelectronicsTL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗:200 μA(TL06x,每个放大器) 宽共模和差分电压范围 低噪声,通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真:0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率:16 V/μs(TL07x、TL08x),3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤80 mA 40 mA 60 mA

供电电流 4.8 mA 1.4 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 65 dB 86 dB 80 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K - -

带宽 3.00 MHz 4 MHz 4 MHz

转换速率 20.0 V/μs 16.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz 4 MHz 4 MHz

输入补偿电压 650 µV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 30 pA 20 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 65 dB 70 dB 80 dB

电源电压(DC) - 36.0 V -

针脚数 - 8 8

增益带宽 - 4 MHz 4 MHz

电源电压 - 6V ~ 36V 6V ~ 36V

电源电压(Max) - - 36 V

电源电压(Min) - - 6 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.65 mm 1.5 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99