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BC214、MPSW13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC214 MPSW13

描述 PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier一瓦达林顿晶体管( NPN硅) One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-92

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 1A

额定电压(DC) -30.0 V -

额定电流 -500 mA -

耗散功率 625 mW -

最小电流放大倍数(hFE) 140 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 400 -

额定功率(Max) 625 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-92-3 TO-92

长度 5.2 mm -

宽度 4.19 mm -

高度 5.33 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -