BC214
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC214中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -500 mA
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 140 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC214引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC214
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC214 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 -30V -500mA | 当前型号 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | 当前型号 |
| 型号： BC558A 品牌： Diotec Semiconductor 封装： TO-92 | 功能相似 | Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W1/2W; TO92 | BC214和BC558A的区别 |
| 型号： MPSW13 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 一瓦达林顿晶体管（ NPN硅） One Watt Darlington TransistorsNPN Silicon | BC214和MPSW13的区别 |
| 型号： PN3638A 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Pnp Si-Gen Pur Amp + Sw | BC214和PN3638A的区别 |