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ZVN2106GTA、ZVN2106GTC、MMFT960T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZVN2106GTA ZVN2106GTC MMFT960T1G

描述 60V,710mA,2Ω,单N沟道功率MOSFETMOSFET Power N-Chnl 60V T/R0.3A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 710 mA 710 mA 300 mA

漏源极电阻 2.00 Ω 2.00 Ω 1.7 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 2W (Ta) 0.8 W

输入电容 - - 65pF @25V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 710 mA 710 mA 300 mA

输入电容(Ciss) 75pF @18V(Vds) 75pF @18V(Vds) 65pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta) 800mW (Ta)

额定功率 2 W - -

上升时间 8 ns 8.00 ns -

下降时间 15 ns - -

长度 - - 6.7 mm

高度 - - 1.65 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99