IRFR15N20DPBF、STD20NF20、STD16NF25对比区别

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型号 IRFR15N20DPBF STD20NF20 STD16NF25

描述 N沟道 200V 17ASTMICROELECTRONICS  STD20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 VSTD16NF25 系列 N 沟道 250 V 0.235 Ohm STripFET II 功率 MosFet - TO-252-3

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 17.0 A 18.0 A -

额定功率 - 110 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.165 mΩ 0.125 Ω 0.195 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3 W 90 W 85 W

阈值电压 5.5 V 3 V 3 V

输入电容 910pF @25V 940 pF -

栅电荷 - 28.0 nC -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 250 V

漏源击穿电压 - 200 V -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 18.0 A 14A

上升时间 32.0 ns 30 ns 17 ns

正向电压(Max) - 1.6 V -

输入电容(Ciss) 910pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds) 680pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 90 W 90 W

下降时间 - 10 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 100W (Tc)

产品系列 IRFR15N20D - -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 2.26 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99