FGH50N6S2D、HGTG30N60A4、FGH50N6S2对比区别

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型号 FGH50N6S2D HGTG30N60A4 FGH50N6S2

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH50N6S2D  单晶体管, IGBT, 75 A, 2.7 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。600V ，开关电源II系列N沟道IGBT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 75.0 A - 75.0 A

针脚数 3 3 -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 463 W 463 W 463 W

上升时间 15 ns - 15.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 55 ns - -

额定功率(Max) 463 W 463 W 463 W

下降时间 50 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 463000 mW 463000 mW 463000 mW

高度 20.82 mm 20.82 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.87 mm 15.87 mm

宽度 - 4.82 mm 4.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99