锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FGH50N6S2D

FGH50N6S2D

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH50N6S2D  单晶体管, IGBT, 75 A, 2.7 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

The is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel stealth diode. The SMPS II series is a combination of the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge, plateau voltage and avalanche capability UIS. This LGC device shortens delay times and reduce the power requirement of the gate drive. This device is ideally suited for high voltage switched mode power supply applications where low conduction loss, fast switching times and UIS capability are essential. SMPS II LGC devices have been specially designed for power factor correction PFC circuits, full bridge topologies, half bridge topologies, push-pull circuits, uninterruptible power supplies and zero voltage and zero current switching circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.

.
100kHz Operation at 390V, 40A
.
200kHZ Operation at 390V, 25A
.
600V Switching SOA capability
.
90ns Fall time
.
UIS Rated

ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

FGH50N6S2D中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 75.0 A

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 463 W

上升时间 15 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 55 ns

额定功率Max 463 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 463000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGH50N6S2D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FGH50N6S2D
型号 制造商 描述 购买
FGH50N6S2D Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH50N6S2D  单晶体管, IGBT, 75 A, 2.7 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 搜索库存
替代型号FGH50N6S2D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FGH50N6S2D

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-247 600V 75A 463000mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH50N6S2D  单晶体管, IGBT, 75 A, 2.7 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

当前型号

型号: HGTG30N60A4

品牌: 安森美

封装: TO-3P-3 463000mW

类似代替

分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGH50N6S2D和HGTG30N60A4的区别

型号: HGTG30N60A4D

品牌: 安森美

封装:

类似代替

HGTG30N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247

FGH50N6S2D和HGTG30N60A4D的区别

型号: FGH50N6S2

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-247 600V 75A 463000mW

类似代替

600V ,开关电源II系列N沟道IGBT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

FGH50N6S2D和FGH50N6S2的区别