锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBZ5236B-V-GS08、MMBZ5236BLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ5236B-V-GS08 MMBZ5236BLT1G

描述 VISHAY  MMBZ5236B-V-GS08  齐纳二极管, 7.5V, 225mW, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBZ5236BLT1G  单管二极管 齐纳, 7.5 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 3

耗散功率 225 mW 225 mW

测试电流 20 mA 20 mA

稳压值 7.5 V 7.5 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) - 7.50 V

容差 - ±5 %

额定功率 - 225 mW

击穿电压 - 7.88 V

正向电压 - 900mV @10mA

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 225 mW

耗散功率(Max) - 225 mW

长度 3.1 mm 2.9 mm

宽度 1.43 mm 1.3 mm

高度 1.05 mm 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

材质 - Plastic

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99