锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MPSW56RLRA、MPSW56RLRAG、MPSW56RLRPG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW56RLRA MPSW56RLRAG MPSW56RLRPG

描述 TO-92 PNP 80V 0.5ANPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 - 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @250mA, 1V 50 @250mA, 1V 50 @250mA, 1V

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W 2.5 W 1000 mW

频率 - 50 MHz -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 - 5.21 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 7.87 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99